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2019-08美光MT40A8G4CLU-075H DDR4-2666

Micron美光DDR4内存代理商,美光MT40A8G4CLU-075H DDR4现货/期货销售,可提供技术支持。[详细]


2019-08美光MT40A8G4VNE-062H DDR4-3200

Micron美光DDR4内存代理商,美光MT40A8G4VNE-062H DDR4现货/期货销售,可提供技术支持。[详细]


2019-08镁光推出首款16Gb LPDDR4X - 使用1z nm技术

美光推出业界首款使用1z nm技术,容量高达 16Gb的 LPDDR4X。同时提供基于UFS多芯片封装的uMCP4,功耗更低能有效延长电池寿命,有更小的尺寸能够应用于更薄的外形设计。美光的1z nm LPDDR4X产品拥有业界最低的功耗,同时提供高达4266 Mbps速度。与上一代产品相比,功耗降低了10%。作为业界目前可用的最高容量单[详细]


2017-07基于NAND的MCP - Micron(美光半导体)产品

相变存储器用于移动设备的解决方案相变存储器(PCM) 是一项突破性的类的内存 ,为您的设计提供了无与伦比的性能和效率相结合。一个高品质的用户体验是手机脱颖而出的关键因素。 我们的45纳米基于PCM的多芯片封装(MCP)实现更快的启动时间,更长的电池寿命和更好的可靠性功能,将您的设计除了。基于PCM-MCP的提[详细]


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