镁光推出首款16Gb LPDDR4X - 使用1z nm技术
美光推出业界首款使用1z nm技术,容量高达 16Gb的LPDDR4X。同时提供基于UFS多芯片封装的uMCP4,功耗更低能有效延长电池寿命,有更小的尺寸能够应用于更薄的外形设计。
美光的1z nmLPDDR4X产品拥有业界最低的功耗,同时提供高达4266 Mbps速度。与上一代产品相比,功耗降低了10%。作为业界目前可用的最高容量单片16Gb LPDDR4X芯片(可在单个封装中堆叠多达8个芯片),LPDDR4X可在不增加前几代LPDDR4封装尺寸的情况下使容量翻倍。
美光表示,采用分立设计和低功耗多芯片封装,使得存储器在相同的占位面积内提供更高的密度,以满足更广泛的智能手机用户群。“新的16Gb LPDDR4X旨在满足当今数据日益增长的应用需求,同时对未来边缘计算、人工智能以及高带宽的5G应用方面也能够提供很好的体验”。
Micron LPDDR4X存储解决方案现已批量供货,若基于UFS的多芯片封装(uMCP4),可提供从3GB+64GB到8GB+256GB范围的八种不同配置。多芯片封装的uMCP4解决了中端到高端市场中移动设备不断增长的存储需求,而这些移动设备寻求与旗舰智能手机类似的性能。
Micron uMCP是结合了LPDDR、NAND Flash和控制器芯片,比移动解决方案(PoP +分立式NAND)占用的空间减少了40%,减少了存储芯片占用并实现了更灵活的系统设计。美光MCP使用先进的封装技术将LPDDR堆叠在NAND之上,再加上UFS控制芯片,从而实现适合小型智能手机设计的高密度、低功耗存储解决方案。
编辑:admin 最后修改时间:2019-08-16