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SIC模块与IGBT模块的区别 SIC模块与IGBT模块的应用差别

关键字: SIC模块 igbt模块 作者: 来源: 发布时间:2023-10-11 浏览:8

SIC模块(Silicon Carbide Module)和IGBT模块(Insulated Gate Bipolar Transistor Module)是两种不同的功率半导体模块,它们在材料、特性和应用方面有一些区别。

1. 材料:SIC模块采用碳化硅(SiC)作为半导体材料,而IGBT模块则采用硅(Si)作为半导体材料。碳化硅具有较高的热导率和较高的电场饱和漂移速度,使得SIC模块具有更高的开关频率和更低的开关损耗。

2. 特性:SIC模块相对于IGBT模块具有以下特点: - 更高的工作温度:SIC模块能够在更高的温度下工作,因为碳化硅具有更高的热导率和更好的热稳定性。 - 更低的开关损耗:由于碳化硅的特性,SIC模块具有更低的开关损耗和导通损耗,从而提高了效率。 - 更高的开关频率:碳化硅具有较高的电场饱和漂移速度,使得SIC模块能够实现更高的开关频率,适用于高频应用。

3. 应用:SIC模块和IGBT模块在应用方面有一些差别: - SIC模块适用于高频、高温和高效率的应用,如电动汽车、太阳能逆变器、工业电源等。 - IGBT模块适用于中频、中温和中功率的应用,如变频空调、电机驱动、电动机控制等。需要根据具体的应用需求和设计要求选择合适的功率半导体模块。

SIC模块与IGBT模块在应用的差别:

硅IGBT和碳化硅MOSFET在驱动方面具有显著的电气参数特性差异。碳化硅MOSFET对于驱动的要求与传统硅器件也存在差异,主要表现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰等几个方面。具体如下:


(一)开通关断


对于全控型开关器件,适配合适的开通关断电压对于确保器件的安全可靠性至关重要:


①硅IGBT:不同厂家的硅IGBT共同要求:


·开通电压典型值为15V;


·关断电压范围为-5V至-15V,用户可以根据需求选择适当的数值,常见的选择包括-8V、-10V和-15V;


·优先考虑稳定的正电压,以确保可靠的开通操作。


②碳化硅MOSFET:不同厂家的碳化硅MOSFET具有不同的开关电压要求:

·开通电压要求较高,通常在22V至15V范围内;

·关断电压要求较高,通常在-5V至-3V范围内;

·优先考虑稳定的负电压,以确保可靠的关断操作;

·添加负压钳位电路,以确保关断时负压不超过规定限制。


(二)短路保护

开关器件在运行过程中存在短路风险,配置合适的短路保护电路可以有效减少因短路而导致的器件损坏。与硅IGBT相比,碳化硅MOSFET具有更短的短路耐受时间。

①硅IGBT:
硅IGBT的承受退保和短路时间一般小于10μs,在设计硅IGBT的短路保护电路时,建议将短路保护的检测延时和响应时间设置为5-8μs较为合适。


②碳化硅MOSFET:
通常,碳化硅MOSFET模块的短路承受能力小于5μs,因此短路保护需要在3μs以内起作用。为了实现这一目标,可以采用二极管或电阻串联进行短路检测,并确保短路保护的最短时间限制在约1.5μs左右。


(三)碳化硅MOSFET驱动的干扰及延迟


①高dv/dt及di/dt对系统的影响:


在高电压和大电流条件下进行开关操作时,器件的开关过程会产生高速的dv/dt和di/dt,对驱动电路造成影响。为了确保系统可靠运行,提高驱动电路的抗干扰能力至关重要,可以采取以下措施:


·在输入电源中添加共模扼流圈和滤波电感,以减小驱动器EMI对低压电源的干扰;


·在次边电源整流部分添加低通滤波器,降低驱动器对高压侧的干扰;


·使用具有高达100kV/μs共模抗扰能力的隔离芯片进行信号传输;


·采用经过优化设计的隔离变压器,原边和次边都应用屏蔽层,减小相互间的串扰;


·使用米勒钳位技术,防止同桥臂管子开关时的相互影响。


②低传输延迟:


通常情况下,硅IGBT的应用开关频率较低,小于40kHz,而碳化硅MOSFET推荐的应用开关频率较高,大于100kHz。提高应用频率要求驱动器提供更低的信号延迟时间。碳化硅MOSFET对驱动信号传输延迟要求小于200ns,传输延迟抖动小于20ns。为实现这一目标,可以采取以下方式:


·使用数字隔离驱动芯片,可实现信号传输延迟约为50ns,并且具有较高的一致性,传输延迟抖动小于5ns;


·选择具有较低传输延时和短上升/下降时间的推挽芯片。

总之,与硅IGBT相比,碳化硅MOSFET在提高系统效率、功率密度和工作温度方面具有优势。然而,这也对驱动器提出了更高的要求。为了确保碳化硅MOSFET在系统中发挥更好的作用,需要选择适配的驱动器。

编辑:admin 最后修改时间:2023-10-11

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