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物联网安全MCU:M2351SIAAE

关键字: 32位低功耗芯片 物联网芯片 新唐安全芯片 作者: 来源: 发布时间:2019-06-14 浏览:0

M2351SIAAE以Arm?Cortex?-M23为内核、内建Armv8-M架构和TrustZone?技术,可将传统的固件安全性提升至更完整的软件安全防护。

M2351系列微控制器运行频率可高达64 MHz,内建512 KB双区块 (Dual Bank) 架构闪存 (Flash) ,可支持OTA(Over-The-Air) 固件升级,并内建96KB SRAM。此外,M2351系列提供高性能外设接口,如UART,SPI,I2C,GPIO,USB和ISO 7816-3。其安全性与多元的功耗管理模式使得物联网应用的创新更臻便捷。

关键特性:

安全核心

  • Arm?Cortex?-M23 核心
  • Armv8-M架构之TrustZone?技术
  • 32位单周期硬件乘法器
  • 32位17周期硬件除法器
  • 高达8个安全区内存保护单元
  • 高达8个非安全区内存保护单元
  • 8个Security Attribution Unit(SAU)内存区域

内存

  • 高达512 KB双区块(Dual Bank) 架构闪存 (Flash),支持同时读写
  • 高达96 KB SRAM,首32 KB可执行同位检查
  • 4 KB Flash 为用户程序加载器 (LDROM)
  • 易于实现产品生命周期管理(PLM)的2 KB 通用 OTP
  • 32 KB 安全启动唯独内存(Secure Boot ROM)
  • ISP/ICP/IAP 编译
  • 外部总线接口(External Bus Interface, EBI) 支持至多 1 MB 的外部寻址空间

电源管理

  • 正常运行模式:97 μA/MHz (LDO 模式);45 μA/MHz (DC-DC 模式)
  • 待机模式: 36 μA/MHz (LDO模式下、CPU clock停用);17μA/MHz (DC-DC模式下,CPU clock 停用)
  • 掉电模式:20 μA
  • 待机掉电模式:3.0 μA
  • 深度掉电模式:4.0 μA (带VBAT)
  • 深度掉电模式:1.5 μA (不带VBAT)
  • VBAT供电予实时时钟:2.5 μA (80字节备用缓存器)

加密与安全性

  • 真实随机数生成器 (TRNG)
  • AES 256/ SHA 384/ 3-DES/ DES
  • 椭圆曲线密码加速器 (ECC)
  • CRC计算单元

通讯接口

  • 至多11个UART接口(可达10.66 MHz),包含3个ISO-7816-3接口、6个RS-485、6个IrDA及2个LIN界面
  • 至多5个I2C接口(可达1 Mbps),包含至多3个I2C SM Bus/ PM Bus
  • 至多7个SPI接口(可达64MHz),包含4个I2S接口,外加1个Quad-SPI界面
  • 高达5个I2S接口,其中4个I2S与4个SPI共享。
  • 安全数字输出/输入接口(SDIO) (可达50MHz)

进阶连接

  • USB 2.0全速装置OTG控制器及内置PHY
  • 1个CAN接口可达1Mbps (CAN 2.0A and 2.0B 标准)
  • 支援无石英震荡器 (Crystal-less) USB

操作特性

  • 运行速度可达64 MHz
  • 电压范围:1.7V 至 3.6 V
  • 温度范围:-40°C 至 +105°C
  • 可选式核心电压:于正常运行模式与待机模式下可选择1.26V或1.2V

封装 (RoHS)

  • LQFP 64-pin

编辑:admin 最后修改时间:2019-06-17

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