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2022-06ST意法半导体 600-650V MDmesh DM9 超结快速恢复功率MOSFET提高了效率和稳健性

新型硅基快速恢复体二极管超结 MOSFET系列为全桥相移ZVS拓扑提供理想的效率和可靠性ST超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷(Qrr)和超快快恢复时间(trr)，以及出色的品质因数(RDS(on)x Qg)，能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率和功率水平，适用于工业和汽车应用。该产品系列提供了广[详细]

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