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2023-07HC32L130 系列 / HC32L136 系列

HC32L130 系列 / HC32L136 系列32 位 ARM? Cortex?-M0+ 微控制器[详细]


2023-07HC32F003C4UA-SFN20TR

?32MHz Cortex-M0+ 32 位CPU平台?HC32F003系列/HC32F0053系列具有灵活的功耗管理系统– 5μA @ 3V 深度休眠模式:所有时钟关闭,上电复位有效,IO 状态保持,IO 中断有效,所有寄存器、RAM 和CPU数据保存状态时的功耗– 10μA @32KHz 低速工作模式:CPU 和外设模块运行中,从Flash 运行程序– 30μ[详细]


2023-07HC32F003C4PA-TSSOP20

?32MHz Cortex-M0+ 32 位CPU平台?HC32F003系列/HC32F0053系列具有灵活的功耗管理系统– 5μA @ 3V 深度休眠模式:所有时钟关闭,上电复位有效,IO 状态保持,IO 中断有效,所有寄存器、RAM 和CPU数据保存状态时的功耗– 10μA @32KHz 低速工作模式:CPU 和外设模块运行中,从Flash 运行程序– 30μ[详细]


2023-07HC32F003C4PA-SOP20

?32MHz Cortex-M0+ 32 位CPU平台?HC32F003系列/HC32F0053系列具有灵活的功耗管理系统– 5μA @ 3V 深度休眠模式:所有时钟关闭,上电复位有效,IO 状态保持,IO 中断有效,所有寄存器、RAM 和CPU数据保存状态时的功耗– 10μA @32KHz 低速工作模式:CPU 和外设模块运行中,从Flash 运行程序– 30μ[详细]


2023-05M258SG6AE低功耗 LCD单片机

M258SG6AE 是 32 位低功耗微控制器产品内建 LCD 驱动以及电容式触控,基于 M23 内核支持 Armv8-M 指令集架构,工作频率为 48 MHz,内建 256 KB Flash及 32 KB SRAM,运作在 1.75V 至 5.5V 宽工作电压和 -40℃ 至 105℃ 的工业温度范围。M258KG6AE 内建 4 x 44, 6 x 42, 8 x 40 COM/SEG 驱动控制器,具备电荷泵以[详细]


2023-05M258SE3AE低功耗 LCD单片机

M258SG6AE 是 32 位低功耗微控制器产品内建 LCD 驱动以及电容式触控,基于 M23 内核支持 Armv8-M 指令集架构,工作频率为 48 MHz,内建 256 KB Flash及 32 KB SRAM,运作在 1.75V 至 5.5V 宽工作电压和 -40℃ 至 105℃ 的工业温度范围。M258KG6AE 内建 4 x 44, 6 x 42, 8 x 40 COM/SEG 驱动控制器,具备电荷泵以[详细]


2023-05M258QE3AE低功耗 LCD单片机

M258SG6AE 是 32 位低功耗微控制器产品内建 LCD 驱动以及电容式触控,基于 M23 内核支持 Armv8-M 指令集架构,工作频率为 48 MHz,内建 256 KB Flash及 32 KB SRAM,运作在 1.75V 至 5.5V 宽工作电压和 -40℃ 至 105℃ 的工业温度范围。M258KG6AE 内建 4 x 44, 6 x 42, 8 x 40 COM/SEG 驱动控制器,具备电荷泵以[详细]


2023-05M258KG6AE低功耗 LCD单片机

M258SG6AE 是 32 位低功耗微控制器产品内建 LCD 驱动以及电容式触控,基于 M23 内核支持 Armv8-M 指令集架构,工作频率为 48 MHz,内建 256 KB Flash及 32 KB SRAM,运作在 1.75V 至 5.5V 宽工作电压和 -40℃ 至 105℃ 的工业温度范围。M258KG6AE 内建 4 x 44, 6 x 42, 8 x 40 COM/SEG 驱动控制器,具备电荷泵以[详细]


2023-05M258KE3AE低功耗 LCD单片机

M258SG6AE 是 32 位低功耗微控制器产品内建 LCD 驱动以及电容式触控,基于 M23 内核支持 Armv8-M 指令集架构,工作频率为 48 MHz,内建 256 KB Flash及 32 KB SRAM,运作在 1.75V 至 5.5V 宽工作电压和 -40℃ 至 105℃ 的工业温度范围。M258KG6AE 内建 4 x 44, 6 x 42, 8 x 40 COM/SEG 驱动控制器,具备电荷泵以[详细]


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