你好!欢迎来到 !
语言
当前位置: 首页>> 内容聚合 >> 晶体管
内容列表

2023-10晶体管是什么,在芯片中起什么作用?

晶体管是一种半导体器件,由两个PN结组成,用于控制电流的流动。它是现代电子技术中最基本的元件之一。在芯片中,晶体管起到了放大、开关和逻辑运算等重要作用。具体来说,晶体管可以根据控制信号的输入,调节电流的通过,实现信号的放大或开关的控制。在数字电路中,晶体管可以作为开关,通过控制其工作状态([详细]


2023-09大族激光:第三代半导体技术,碳化硅激光切片设备正在持续推进

近日,大族激光接受机构调研时表示,在Micro-LED领域,公司同步推进在MIP、COB封装路线的布局,已经研发出Micro-LED巨量转移、Micro-LED巨量焊接、Micro-LED修复等设备,市场验证反映良好。第三代半导体技术方面,公司研发的碳化硅激光切片设备正在持续推进与行业龙头客户的合作,为规模化生产做准备,并[详细]


2023-08谏早电子推出异质晶体管“可不使用IC构成电池电压监视电路

半导体制造商谏早电子开发出异质晶体管“RTEXXXXM”。本系列为内装2元件型, 除了可作出小型化, 使用方法也可以有电压检测, 保护用等等多种用途, 也齐集丰富的产品种类。本产品无需使用IC即可构成电池电压监视电路,是一款有助于降低成本的产品。 各系列产品特性(* 红字为支持车载的产品。)内部接线图应用【[详细]


2023-07ISAHAYA 谏早电子 齐纳二极管和晶体管的复合元件

半导体制造商谏早电子开发出异质晶体管“RTEXXXXM”。本系列为内装2元件型, 除了可作出小型化, 使用方法也可以有电压检测, 保护用等等多种用途, 也齐集丰富的产品种类。本产品无需使用IC即可构成电池电压监视电路,是一款有助于降低成本的产品。各系列产品特性(* 红字为支持车载的产品。)内部接线图应用【电压检[详细]


2023-06碳化硅在国内晶圆厂的发展前景进行分析预测

近年来,碳化硅被广泛应用于各种领域,特别是在半导体行业中作为半导体材料。碳化硅具有高温稳定性、高电化学性能和高硬度,可用于高温、高压和大功率应用。国内晶圆厂中采用碳化硅工艺制造半导体器件的应用也逐渐增加。这种趋势将继续推动该行业的发展,下面就碳化硅在国内晶圆厂的发展前景进行分析预测:1.&n[详细]


2022-10天马微、华星光电、京东方在武汉累计投资已超1500亿元

据湖北日报报道,天马微电子、华星光电、京东方在武汉累计投资已超过1500亿元,建成面板生产线5条,约占国内面板产能的10%;在建生产线1条。新型显示是武汉重点打造的产业,在2022年武汉市市级重大项目中,不少相关项目在列,包括武汉华星光电第6代柔性LTPS-AMOLED显示面板生产线项目模组厂房2、武汉高世代薄膜[详细]


2022-09Intel 7的怒吼!酷睿i9-12900K/i5-12600K首发评测:ROG MAXIMUS Z690 HERO神奇加成

一、前言:6年磨一剑 “10nm”桌面处理器终于到来不知道期盼了多少年!如果从2015年的第5代酷睿Broadwell处理器算起,14nm工艺Intel坚持使用了整整6年。6年的时间,处理器市场早已是沧海桑田。痴迷于频率提升是Intel坚持14nm制程工艺的原因之一!今年3月份才发布的i9-11900K更是达到了5.1GHz的恐怖全核频率,虽[详细]


2022-08台积电获得多家芯片供应商的 3nm 订单承诺

8 月 19 日,据 DIGITIMES 报道,IC 设计公司的消息人士透露,尽管竞争对手三星电子积极争夺 3nm 芯片订单,但台积电继续从苹果和英特尔等供应商那里获得 3nm 芯片订单承诺。消息人士表示,三星正在努力扩大其 3nm 客户组合,但尚未取得重大进展。对于台积电的 3nm 客户而言,从台积电转移订单可能会带来高昂的[详细]


2022-08欲抢台积电晶圆代工订单,消息称三星豪掷 50000 亿韩元扩产 4nm

8 月 18 日消息,据中国台湾《经济日报》报道,三星强攻晶圆代工先进制程,继 6 月底宣布 3nm 领先业界量产后,4nm 良率显著提升,正着手扩产,预计今年 Q4 每月新增 2 万片产能,并规划在 4nm 上豪掷约 50000 亿韩元(约 258 亿元人民币)投资,与台积电一较高下,欲从台积电手上抢下更多高通、AMD、英伟[详细]


2022-08一个器件卖出500亿!IGBT国产厂商纷纷加速“上车”

IGBT:功率器件领域最具发展前景的赛道IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ,绝缘栅双极晶体管,是由BJT(双极结型晶体管,即三极管)和MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)两种结构复合而成的全控型电压驱动式功率半导体器件。IGBT同时具备MOSFET输入阻抗高、开关速度快、控制功率小、驱动电路简单、[详细]


共 34 条记录 1/4 页 上一页 1 2 3 4 下一页 尾页
联系方式

0755-82591179

传真:0755-82591176

邮箱:vicky@yingtexin.net

地址:深圳市龙华区民治街道民治大道973万众润丰创业园A栋2楼A08

Copyright ? 2014-2023 All Rights Reserved.粤ICP备14043402号-4

Baidu
map